Diferencia entre BJT y FET

Bjt vs fet

Tanto BJT (transistor de unión bipolar) como FET (transistor de efecto de campo) son dos tipos de transistores. El transistor es un dispositivo semiconductor electrónico que proporciona una señal de salida eléctrica en gran medida cambiante para pequeños cambios en pequeñas señales de entrada. Debido a esta calidad, el dispositivo se puede usar como un amplificador o un interruptor. Transistor se lanzó en la década de 1950 y puede considerarse como uno de los inventos más importantes en el siglo XX, considerando su contribución al desarrollo de TI. Se han probado diferentes tipos de arquitecturas para transistores.

Transistor de unión bipolar (BJT)

BJT consta de dos uniones PN (una unión realizada al conectar un semiconductor de tipo P y un semiconductor de tipo N). Estas dos uniones se forman utilizando tres piezas de semiconductores en el orden de P-N-P o N-P-N. Hay dos tipos de BJT conocidos como PNP y NPN disponibles.

Se conectan tres electrodos a estas tres partes semiconductores y el plomo medio se llama 'base'. Otras dos uniones son 'emisor' y 'coleccionista'.

En BJT, la corriente de emisor de colección grande (IC) está controlada por la corriente del emisor de base pequeña (IB) y esta propiedad se explota para diseñar amplificadores o interruptores. Allí se puede considerar como un dispositivo impulsado por corriente. BJT se usa principalmente en circuitos de amplificadores.

Transistor de efecto de campo (FET)

FET está hecho de tres terminales conocidos como 'puerta', 'fuente' y 'drenaje'. Aquí la corriente de drenaje está controlada por el voltaje de la puerta. Por lo tanto, los FET son dispositivos controlados por voltaje.

Dependiendo del tipo de semiconductor utilizado para la fuente y el drenaje (en FET, ambos están hechos del mismo tipo de semiconductor), un FET puede ser un dispositivo de canal N o canal P puede. El flujo de corriente de origen para drenar se controla ajustando el ancho del canal aplicando un voltaje apropiado a la puerta. También hay dos formas de controlar el ancho del canal conocido como agotamiento y mejora. Por lo tanto, los FET están disponibles en cuatro tipos diferentes, como el canal N o el canal P con el agotamiento o el modo de mejora.

Hay muchos tipos de FET como MOSFET (FET semiconductor de óxido de metal), HEMT (transistor de alta movilidad de electrones) e IGBT (transistor bipolar de puerta aislado). CNTFET (Nanotube de carbono FET) que fue resultado por el desarrollo de la nanotecnología es el último miembro de FET Family.