Diferencia entre BJT e IGBT
BJT vs IGBT
BJT (transistor de unión bipolar) e IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) son dos tipos de transistores utilizados para controlar las corrientes. Ambos dispositivos tienen uniones PN y diferentes en la estructura del dispositivo. Aunque ambos son transistores, tienen diferencias significativas en las características.
BJT (transistor de unión bipolar)
BJT es un tipo de transistor que consta de dos uniones PN (una unión realizada al conectar un semiconductor de tipo P y un semiconductor de tipo N). Estas dos uniones se forman utilizando tres piezas de semiconductores en el orden de P-N-P o N-P-N. Por lo tanto, dos tipos de BJT, conocidos como PNP y NPN, están disponibles.
Se conectan tres electrodos a estas tres partes semiconductores y el plomo medio se llama 'base'. Otras dos uniones son 'emisor' y 'coleccionista'.
En BJT, emisor de colección grande (iC) La corriente está controlada por la corriente del emisor de base pequeña (iB), y esta propiedad se explota para diseñar amplificadores o interruptores. Por lo tanto, se puede considerar como un dispositivo de corriente. BJT se usa principalmente en circuitos de amplificadores.
IGBT (transistor bipolar de puerta aislado)
IGBT es un dispositivo semiconductor con tres terminales conocidos como 'emisor', 'coleccionista' y 'puerta'. Es un tipo de transistor, que puede manejar una mayor cantidad de potencia y tiene una mayor velocidad de conmutación, lo que lo hace alto eficiente. IGBT ha sido introducido en el mercado en la década de 1980.
IGBT tiene las características combinadas del transistor de unión MOSFET y bipolar (BJT). Es impulsado por la puerta como MOSFET y tiene características de voltaje de corriente como BJTS. Por lo tanto, tiene las ventajas de la capacidad de manejo de alta corriente y la facilidad de control. Los módulos IGBT (consisten en varios dispositivos) manejan kilovatios de energía.
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Diferencia entre BJT e IGBT 1. BJT es un dispositivo impulsado por la corriente, mientras que IGBT es conducido por el voltaje de la puerta 2. Los terminales de IGBT se conocen como emisor, coleccionista y puerta, mientras que BJT está hecho de emisor, coleccionista y base. 3. Los IGBT son mejores en el manejo de potencia que BJT 4. IGBT puede considerarse como una combinación de BJT y un FET (transistor de efecto de campo) 5. IGBT tiene una estructura de dispositivo compleja en comparación con BJT 6. BJT tiene una larga historia en comparación con IGBT
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