Diferencia entre IGBT y tiristor
IGBT vs tiristor
Thyristor e IGBT (transistor bipolar de puerta aislado) son dos tipos de dispositivos semiconductores con tres terminales y ambos se utilizan para controlar las corrientes. Ambos dispositivos tienen un terminal de control llamado 'puerta', pero tienen diferentes principios de operación.
Tiristor
El tiristor está hecho de cuatro capas semiconductores alternos (en forma de P-n-p-n), por lo tanto, consta de tres uniones PN. En el análisis, esto se considera un par de transistores estrechamente acoplados (uno PNP y otros en la configuración de NPN). Las capas semiconductoras P y N de tipo más exteriores se denominan ánodo y cátodo respectivamente. Electrodo conectado a la capa semiconductora de tipo P interna se conoce como la 'puerta'.
En funcionamiento, el tiristor actúa que conducen cuando se proporciona un pulso a la puerta. Tiene tres modos de operación conocidos como 'Modo de bloqueo inverso', 'Modo de bloqueo hacia adelante' y 'Modo de dirección hacia adelante'. Una vez que la puerta se activa con el pulso, el tiristor va al 'modo de conducción hacia adelante' y sigue conduciendo hasta que la corriente hacia adelante se vuelve menor que el umbral 'retener la corriente'.
Los tiristores son dispositivos de alimentación y la mayoría de las veces se utilizan en aplicaciones donde están involucradas corrientes y voltajes altos. La aplicación de tiristor más utilizada es controlar corrientes alternativas.
Transistor bipolar de puerta aislado (IGBT)
IGBT es un dispositivo semiconductor con tres terminales conocidos como 'emisor', 'coleccionista' y 'puerta'. Es un tipo de transistor, que puede manejar una mayor cantidad de potencia y tiene una mayor velocidad de conmutación, lo que lo hace alto eficiente. IGBT ha sido introducido en el mercado en la década de 1980.
IGBT tiene las características combinadas del transistor de unión MOSFET y bipolar (BJT). Es impulsado por la puerta como MOSFET y tiene características de voltaje de corriente como BJTS. Por lo tanto, tiene las ventajas de la capacidad de manejo de alta corriente y la facilidad de control. Los módulos IGBT (consisten en varios dispositivos) manejan kilovatios de energía.
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En breve: Diferencia entre IGBT y tiristor 1. Tres terminales de IGBT se conocen como emisor, coleccionista y puerta, mientras que el tiristor tiene terminales conocidos como ánodo, cátodo y puerta. 2. La puerta del tiristor solo necesita un pulso para cambiar en modo de conducción, mientras que IGBT necesita un suministro continuo de voltaje de la puerta. 3. IGBT es un tipo de transistor, y el tiristor se considera como un par de transistores en el análisis. 4. IGBT tiene solo un cruce PN, y el tiristor tiene tres de ellos. 5. Ambos dispositivos se utilizan en aplicaciones de alta potencia.
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