Diferencia entre NPN y Transistor PNP

NPN vs PNP Transistor

Los transistores son 3 dispositivos semiconductores terminales utilizados en electrónica. Basado en la operación interna y la estructura, los transistores se dividen en dos categorías, el transistor de unión bipolar (BJT) y el transistor de efecto de campo (FET). Los BJT fueron los primeros en ser desarrollados en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain en Bell Telephone Laboratories. PNP y NPN son solo dos tipos de transistores de unión bipolar (BJT).

La estructura de BJTS es tal que una capa delgada de material semiconductor de tipo P o de tipo N está intercalado entre dos capas de un tipo de semiconductor de tipo opuesto. La capa encendida y las dos capas externas crean dos uniones semiconductores, de ahí el nombre de transistor de unión bipolar. Un BJT con material semiconductor de tipo P en el material medio y de tipo N en los lados se conoce como transistor de tipo NPN. Del mismo modo, un BJT con material de tipo N en el material medio y de tipo P en los lados se conoce como Transistor PNP.

La capa intermedia se llama base (b), mientras que una de las capas externas se llama colector (c) y el otro emisor (e). Las uniones se denominan unión base-emisor (B-E) y unión de colector de base (B-C). La base está ligeramente dopada, mientras que el emisor está muy dopado. El colector tiene una concentración de dopaje relativamente menor que el emisor.

En funcionamiento, generalmente BE la unión está sesgada hacia adelante y la unión BC está sesgada inversa con un voltaje mucho más alto. El flujo de carga se debe a la difusión de los portadores en estas dos uniones.

Más sobre transistores PNP

Se construye un transistor PNP con un material semiconductor de tipo n con una concentración de dopaje relativamente baja de impureza del donante. El emisor está dopado a una mayor concentración de impureza del aceptador, y el colector recibe un nivel de dopaje más bajo que el emisor.

En funcionamiento, BE Junction está sesgada hacia adelante aplicando un potencial más bajo a la base, y la unión BC está sesgada inversa usando un voltaje mucho más bajo al colector. En esta configuración, el transistor PNP puede funcionar como un interruptor o un amplificador.

El portador de carga mayoritario del transistor PNP, los agujeros, tiene una movilidad relativamente baja. Esto da como resultado una tasa más baja de respuesta de frecuencia y limitaciones en el flujo de corriente.

Más sobre transistores NPN

El transistor de tipo NPN se construye en un material semiconductor de tipo P con un nivel de dopaje relativamente bajo. El emisor está dopado con una impureza del donante a un nivel de dopaje mucho más alto, y el colector está dopado con un nivel más bajo que el emisor.

La configuración de polarización del transistor NPN es lo opuesto al transistor PNP. Los voltajes se invierten.

El portador de carga mayoritario del tipo NPN son los electrones, que tienen una mayor movilidad que los agujeros. Por lo tanto, el tiempo de respuesta de un transistor de tipo NPN es relativamente más rápido que el tipo PNP. Por lo tanto, los transistores de tipo NPN son los más utilizados en dispositivos relacionados con alta frecuencia y su facilidad de fabricación que el PNP lo hace utilizar principalmente de los dos tipos.

¿Cuál es la diferencia entre NPN y PNP Transistor??

• Los transistores PNP tienen colector de tipo P y emisor con una base de tipo N, mientras que los transistores NPN tienen coleccionista de tipo N y emisor con una base de tipo P.

• Los portadores de carga mayoritaria de PNP son agujeros, mientras que, en NPN, son los electrones.

• Al sesgar, se utilizan potenciales opuestos en relación con el otro tipo.

• NPN tiene un tiempo de respuesta de frecuencia más rápido y un mayor flujo de corriente a través del componente, mientras que PNP tiene una respuesta de baja frecuencia con un flujo de corriente limitado.