¿Cuál es la diferencia entre las impurezas ricas en electrones y deficientes en electrones?
El Diferencia clave entre impurezas ricas en electrones y deficientes en electrones es que las impurezas ricas en electrones están dopadas con elementos del Grupo 1S como P y AS, que consisten en 5 electrones de valencia, mientras que las impurezas deficientes en electrones están dopadas con elementos del grupo 13 como B y Al, que de 3 electrones de valencia.
Los términos impurezas ricas en electrones y deficientes en electrones se encuentran bajo tecnología de semiconductores. Los semiconductores generalmente se comportan de dos maneras: conducción intrínseca y conducción extrínseca. En la conducción intrínseca, cuando se proporciona electricidad, los electrones se mueven detrás de una carga o orificio positivo en el sitio de un electrón faltante porque el silicio puro y el germanio son conductores pobres que tienen una red de enlaces covalentes fuertes. Esto hace que el cristal realice electricidad. En la conducción extrínseca, la conductividad de los conductores intrínsecos aumenta con la adición de una cantidad apropiada de impureza adecuada. Llamamos a este proceso "Doping."Los dos tipos de métodos de dopaje son el dopaje rico en electrones y deficientes en electrones.
CONTENIDO
1. Descripción general y diferencia de claves
2. ¿Qué son las impurezas ricas de electrones?
3. ¿Cuáles son las impurezas deficientes en electrones?
4. Impurezas deficientes en electrones vs de electrones en forma tabular
5. Resumen - Impurezas deficientes en electrones vs de electrones
¿Qué son las impurezas ricas de electrones??
Las impurezas ricas en electrones son tipos de átomos que tienen más electrones que son útiles para aumentar la conductividad del material semiconductor. Estos se nombran como semiconductores de tipo N porque el número de electrones aumenta durante esta técnica de dopaje.
En este tipo de semiconductores, los átomos con cinco electrones de valencia se agregan al semiconductor, lo que da como resultado que se utilicen cuatro de cada cinco electrones en la formación de cuatro enlaces covalentes con cuatro átomos de silicio vecinos. Luego, el quinto electrón existe como un electrón extra, y se delocaliza. Hay muchos electrones delocalizados que pueden aumentar la conductividad del silicio dopado, aumentando así la conductividad del semiconductor.
¿Cuáles son las impurezas deficientes en electrones??
Las impurezas ricas en electrones son tipos de átomos que tienen menos electrones, lo que es útil para aumentar la conductividad del material semiconductor. Estos se nombran como semiconductores de tipo P porque el número de agujeros aumenta durante esta técnica de dopaje.
En este tipo de semiconductor, se agrega un átomo con tres electrones de valencia al material semiconductor, reemplazando los átomos de silicio o germanio con el átomo de impureza. Los átomos de impureza tienen electrones de valencia que pueden hacer enlaces con otros tres átomos, pero luego el cuarto átomo permanece libre en el cristal de silicio o germanio. Por lo tanto, este átomo ahora está disponible para realizar electricidad.
¿Cuál es la diferencia entre las impurezas ricas en electrones y deficientes en electrones??
La diferencia clave entre las impurezas ricas en electrones y deficientes en electrones es que las impurezas ricas en electrones se dopan con elementos del Grupo 1S, como P y que contienen 5 electrones de valencia, mientras que las impurezas deficientes de electrones se dopan con elementos del Grupo 13 como B y Al que contienen 3 electrones de valencia. Al considerar el papel de los átomos de impureza, en las impurezas ricas de electrones, se usan 4 de 5 electrones en el átomo de impureza para formar enlaces covalentes con 4 átomos de silicio vecinos y 5th El electrón permanece extra y se delocaliza; Sin embargo, en las impurezas deficientes en electrones, las 4th El electrón del átomo de la red permanece extra y aislado, lo que puede crear un orificio de electrones o vacantes de electrones.
La siguiente tabla resume la diferencia entre impurezas ricas en electrones y deficientes en electrones.
Resumen -Impurezas deficientes en electrones vs de electrones
Los semiconductores son sólidos que tienen las propiedades intermedias entre metales y aisladores. Estos sólidos tienen solo una pequeña diferencia de energía entre la banda de valencia llena y la banda de conducción vacía. Las impurezas ricas en electrones y las impurezas deficientes en electrones son dos términos que utilizamos para describir los materiales semiconductores. La diferencia clave entre las impurezas ricas en electrones y deficientes en electrones es que las impurezas ricas en electrones se dopan con elementos del Grupo 1S, como P y, ya que contiene 5 electrones de valencia, mientras que las impurezas deficientes en electrones están dopadas con elementos del grupo 13 como B y Al. 3 electrones de valencia.
Referencia:
1. "¿Qué son los semiconductores??" Hitachi High-Tech Global.
Imagen de cortesía:
1. "Circuito integrado en semiconductores-IC" (CC0) a través de Pixabay
